Полупроводниковые приборы

Электрика
Содержание
  1. Полупроводниковые приборы. ГОСТ 2.730
  2. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
  3. Примеры построения обозначений тиристоров
  4. Примеры построения обозначений транзисторов
  5. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены
  6. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
  7. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
  8. Наиболее популярная структура фототранзистора
  9. Усилительные свойства фототранзистора
  10. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов
  11. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах
  12. Характеристики фототранзистора
  13. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов
  14. Где применяются фототранзисторы?
  15. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов
  16. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем
  17. Таблица 12
  18. Маркировки и основные параметры
  19. В чем отличие между фототранзисторами и фотодиодами?
  20. Принцип работы
  21. Обозначения тиристоров
  22. Примеры построения обозначений полевых транзисторов
  23. Ключевые параметры фототранзистора
  24. Токовая и спектральная чувствительности
  25. Темновой ток и быстродействие
  26. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов
  27. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов

Полупроводниковые приборы. ГОСТ 2.730

Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов

один. Диод

Общее обозначение

2. Туннельный диод
3. Обратный диод
четыре. Стабилитрон (выпрямительный диод)

а) односторонний

б) двусторонне
5. Термоэлектрический диод
6. Варикап (емкостный диод)
7. Диод двунаправленный
восемь. Модуль с несколькими (например тремя) одинаковыми диодами с общим анодом и отдельными катодными выводами
9. Диод Шоттки
10. ВЕЛ

Примеры построения обозначений тиристоров

1 Тиристорный диод, блокируемый в обратном направлении
2. Тиристорный диод, проводящий в обратном направлении
3. Симметричный тиристорный диод
4 Триодный тиристор. Общее обозначение
5. Тиристорный триод, запираемый в обратном направлении с управлением:

вдоль анода

вдоль катода
6. Переключаемый триодный тиристор: общее обозначение
блокируемый в обратном направлении, активированный анодом
с обратным замком, с катодным управлением
7. Тиристорный триод, проводящий в обратном направлении:

с анодным управлением

катодное управление
8 Симметричный триодный тиристор (двунаправленный) — симистор
9. Тиристорный тетроид, блокируемый в обратном направлении

Примеры построения обозначений транзисторов

один. Транзистор

а) тип ПНП

б) тип НПН
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом
3. NPN лавинный транзистор
4 Транзисторный однопереходник с N-базой
5. Однопереходный транзистор с P-базой
6. Транзистор двухбазовый типа NPN
7. Транзисторный двухбазовый типа ПНИП с выводом из i-области
8 Транзисторный двухбазовый типа ПНИП с выводом из i-области
9. Многоэмиттерный транзистор NPN

Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены

1 N-канальный полевой транзистор
2. P-канальный полевой транзистор
3. Полевой транзистор с изолированным затвором без выхода с подложки:

а) обогащенный тип с Р-каналом

б) обогащенный тип с N-каналом
в) обедненный тип с Р-каналом
г) обедненный тип с N-каналом
4 Обогащенный N-канальный транзистор IGF с внутренним соединением исток-подложка
5. Полевой транзистор с изолированным затвором и выводом подложки типа обогащения с P-каналом
6. P-канальный полевой транзистор с двумя изолированными затворами с проводом от подложки
7. Полевой транзистор с затвором Шоттки
8 Полевой транзистор с двумя затворами Шоттки

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов

один. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциал
2. Фотодиод
3. Фототиристор
четыре. Фототранзистор:

а) тип ПНП

б) тип НПН
5. Фотоэлемент
6. Фото батарея

Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов

один. Диод оптопары
2. Тиристорная оптопара
3. Оптопара сопротивления
четыре. Оптоэлектронный блок с фотодиодом и усилителем
5. Оптоэлектронное устройство с фототранзистором:

а) с выводом из базы

б) без вывода из базы

 

Наиболее популярная структура фототранзистора

На мой взгляд, наиболее популярной и востребованной структурой, которая представлена ​​в фототранзисторе, должна быть структура n-p-n

Структура нпн

Другая структура

Как правило, биполярные фототранзисторы в приведенной выше схеме изготавливаются либо из монокристаллического кремния, либо из монокристаллического германия.

Узнайте, что такое твердотельное реле.

Стоит отметить, что данное устройство способно создать такой механизм взаимодействия со световыми лучами, который позволит иметь большую оптическую чувствительность, чем обычный транзистор или фотодиоды.

Усилительные свойства фототранзистора

Усилительные свойства, которыми обладает данный прибор, определяются следующим образом: фототранзистор, имеющий определенный диапазон (величина диапазона обусловлена ​​интенсивностью поляризованного света) работы.

Электрический постоянный ток (или базовый ток) поляризованного света способен многократно усиливаться (например, в несколько десятков тысяч раз) .

Плюс, возможно, так называемое «дополнительное усиление» электрического тока, что объясняется особым, обеспечивается специальным транзистором Дарлингтона, представляющим собой биполярный транзистор с подключенным эмиттером.

Биполярный транзистор

Такая большая мощность усиления (основная и дополнительная) означает, что фототранзистор даже при слабом освещении может иметь сверхповышенную чувствительность

Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов

Таблица 10

Имя Обозначение
1. Диод оптопары ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Оптопара для тиристора ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Резистивные оптопары ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Оптоэлектронный блок с фотодиодом и усилителем:
а) вместе ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) распределенный ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Оптоэлектронное устройство с фототранзистором:
а) с выводом из базы ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) без вывода из базы ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

Заметки:

1. Допускается изображение оптоэлектронных устройств с расстояния. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством построения схемы, например:

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

12. Примеры конструктивных обозначений других полупроводниковых приборов приведены в таблице 11.

Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах

Таблица 12

Имя Обозначение
1. Схема однофазного мостового выпрямителя:
а) увеличенное изображение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
или жеГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. Напряжение переменного тока подключается к клемме 1-2; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; контакт 3 положительный.

Цифры 1, 2, 3 и 4 предназначены для уточнения.

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
Пример использования условной графической метки на диаграмме ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Схема трехфазного мостового выпрямителя ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Диодная матрица (фрагмент) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы подключены одинаково, допустимо использовать упрощенный метод изображения. В этом случае на схеме должны быть пояснения о способе включения диодов ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых с помощью компьютерных принтеров предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в таблице 13.

Характеристики фототранзистора

Преимущества

Мы должны повторить еще раз относительно сходства между фототранзисторами и фотодиодами. Если мы говорим, что эти устройства имеют общие черты, то и сравнивать их следует соответственно.

Преимущества

Преимущества и недостатки

Честно говоря, фототранзисторы не имеют количественного преимущества в некоторых аспектах, да, они имеют более высокую чувствительность непосредственно к излучению, но и все, по остальным параметрам наш прибор не превосходит фотодиоды.

Но, вероятно, есть недостатки, когда дело доходит до фотодиодов.

Во-первых, фототранзисторы уступают по быстродействию, т.е время отклика в линии связи несколько больше.

Во-вторых, для фотодиодов темновой ток кажется намного меньшим, что помогает им лучше распознавать и ощущать световой ток.

В-третьих, фототранзисторы не могут должным образом поддерживать линейную зависимость между выходным током и освещенностью.

Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов

Таблица 11

Имя Обозначение
1. Датчик Холла ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
Токовые выходы датчика показаны в виде линий, идущих от коротких сторон прямоугольника
2. Магниточувствительный резистор ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Магнитный сплиттер ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

13. Примеры изображений типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в таблице 12.

Читайте также: Гусиные лапки на мотоблок своими руками чертежи. Как правильно собрать (установить) фрезы «гусиные лапки» на мотокультиватор и нужно ли их затачивать

Где применяются фототранзисторы?

Поскольку фототранзистор является устройством с очень высокой чувствительностью, он широко используется:

  • В автоматических системах безопасности;
  • В охранной сигнализации;
  • В электронных устройствах излучение;
  • В компьютерных системах управления;
  • В автоматических системах освещения;
  • Писать код по исходным данным;
  • В оптронах и других оптических устройствах.

Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов

Таблица 5

Имя Обозначение
1. Диод
Общее обозначение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Диодный туннель ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Обратный диод ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Стабилитрон (выпрямительный диод)
а) односторонний ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) двусторонне ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Термоэлектрический диод ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
6. Варикап (емкостной диод) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
7. Диод двунаправленный ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
8. Модуль с несколькими (например тремя) одинаковыми диодами с общим анодом и независимыми катодными выводами ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
8а. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодом и отдельными выводами анода ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
9. Диод Шоттки ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
10. Светодиод ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

7. Обозначения тиристоров приведены в таблице 6.

Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем

Таблица 13

Имя Обозначение Выбитое обозначение
1. Диод ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

или же
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Транзистор типа PNP ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Транзистор типа NPN ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Транзистор типа PNIP с выходом I-области ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4) ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

Таблица 12

Имя Обозначение
1. Схема однофазного мостового выпрямителя:
а) увеличенное изображение гост_2.730-73_90.png
или жегост_2.730-73_91.png
б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)
Примечание. Напряжение переменного тока подключается к клемме 1-2; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; контакт 3 положительный.

Цифры 1, 2, 3 и 4 предназначены для уточнения.

гост_2.730-73_92.png
Пример использования условной графической метки на диаграмме гост_2.730-73_93.png
2. Схема трехфазного мостового выпрямителя гост_2.730-73_94.png
3. Диодная матрица (фрагмент) гост_2.730-73_95.png
Примечание. Если все диоды в узлах матрицы подключены одинаково, допустимо использовать упрощенный метод изображения. В этом случае на схеме должны быть пояснения о способе включения диодов гост_2.730-73_96.png

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых с помощью компьютерных принтеров предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в таблице 13.

Маркировки и основные параметры

Фототранзисторы, управляемые внешними факторами, имеют обозначение, аналогичное обычным транзисторам. На рисунке ниже вы можете увидеть, как схематично показан такой датчик на чертеже.

обозначение транзистора
Фото – обозначение транзисторов

При этом VT1, VT2 — фототранзисторы и база, а VT3 — без базы (например, от мышки). Обратите внимание, что цоколевка показана так же, как и для обычных транзисторов.

Наряду с другими устройствами полупроводникового (npn) типа, используемыми для преобразования излучения, эти устройства являются оптронами. Соответственно, их можно изобразить как светодиод в корпусе или как оптопары (с двумя стрелками под углом 90 градусов к низу коллектора). Усилитель на большинстве этих схем обозначается так же, как и база коллектора.

Основные характеристики фототранзисторов LTR 4206E, FT 1K и IR-SFH 305-2/3:

Имя Ток коллектора, мА Ток фотоэлемента, мА Напряжение, В Сфера использования Длина волны, нм
ЛТР 4206Е 100 4,8 тридцать Радиоэлектронные схемы. 940
1 000 футов 100 0,4 тридцать Логические системы управления, сигнализации и т.д. 940
IR-SFH 305-2/3 (Осрам) 50 0,25 — 0,8 32 Охранные системы, роботы, датчики препятствий Ардуино (Arduino) на фототранзисторе. 850

При этом световой синхронизатор FT 1 изготовлен из кремния, что дает ему явное преимущество — долговечность и устойчивость к перепадам напряжения. VAC — это формула:

формула ЦВК
Фото – формула CVC

Расчет производится так же, как и для биполярных транзисторов.

В зависимости от ваших потребностей вы можете купить фототранзистор SMD PT12-21, KTF-102A или LTR 4206E (прежде чем брать деталь, проверьте ее работоспособность). Цена от 3 рублей до нескольких сотен.

Видео: как проверить работу фототранзистора

В чем отличие между фототранзисторами и фотодиодами?

Пожалуй, вопрос, который интересует всех читателей нашего сайта. На самом деле ответ на него не кажется каким-то очевидным и понятным, но я попытаюсь объяснить его вам простыми словами.

Итак, ключевое отличие этих устройств в том, что фотодиоды имеют возможность выполнять работу механизма в двух режимах одновременно: фотодиодном и фотоэлектрическом.

Если говорить о первом режиме, то для него достаточно подать обратное напряжение на диод, что позволяет регулировать сопротивление в меньшую сторону.

Если говорить о фотоэлектрическом режиме, то здесь уместно сравнение с солнечной батареей, то есть есть свет — есть и напряжение.

Кстати, фототранзисторы могут работать только в первом режиме. Это говорит о том, что они проще и менее практичны в использовании.

Принцип работы

Фототранзистор работает так же, как и транзистор, где ток отводится к коллектору, главное отличие в том, что в этом устройстве ток управляется всего двумя активными контактами.

простой фототранзистор
Фото — простой фототранзистор

В простой схеме, предполагающей, что к фототранзистору ничего не подключено, ток базы управляется некоторым оптическим излучением, определяющим коллектор. Электрический ток входит в полупроводник только после резистора. Таким образом, напряжение на устройстве будет меняться от высокого к низкому в зависимости от уровня оптического излучения. Для усиления сигнала можно подключить устройство к специальному оборудованию.

Выход фототранзистора зависит от длины волны падающего света. Этот полупроводник реагирует на свет в широком диапазоне длин волн в зависимости от рабочего спектра. Выход фототранзистора определяется площадью базы коллектора с открытым переходом и коэффициентом усиления транзистора по постоянному току.

Фототранзистор может быть разного типа действия, на это указывают основные схемы включения устройства. Типы устройств:

  1. Оптоизолятор (напоминает трансформатор, входы которого заблокированы электрическими контактами);
  2. Фотореле;
  3. Датчики. Используется в системах безопасности. Это активные устройства, излучающие свет. При формировании и выделении определенного импульса полупроводниковый прибор сразу рассчитывает силу отдачи. Если сигнал не вернулся или вернулся на другой частоте, срабатывает тревога (как в ИК охранных системах).

Обозначения тиристоров

Таблица 6

Имя Обозначение
1. Тиристорный диод, блокируемый в обратном направлении ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Диодный тиристор, проводящий в обратном направлении ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Тиристорный диод симметричный ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Триодный тиристор. Общее обозначение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Тиристорный триод, запираемый в обратном направлении с управлением:
вдоль анода ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
вдоль катода ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
6. Переключаемый триодный тиристор:
общее обозначение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
блокируемый в обратном направлении, активированный анодом ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
с обратным замком, с катодным управлением ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
7. Триодный тиристор, проводящий в обратном направлении:
общее обозначение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
с анодным управлением ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
катодное управление ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
8. Тиристорный триод симметричный (двунаправленный) — симистор ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
9. Тиристорный тетроид, запираемый в обратном направлении ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

Примечание. Тиристор с анодным управлением допустимо обозначать как продолжение соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с PN переходами приведены в таблице 7.

Примеры построения обозначений полевых транзисторов

Таблица 8

Имя Обозначение
1. N-канальный полевой транзистор ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Полевой транзистор с каналом типа P ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Полевой транзистор с изолированным затвором без выхода с подложки:
а) обогащенный тип с Р-каналом ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) обогащенный тип с N-каналом ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
в) обедненный тип с Р-каналом ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
г) обедненный тип с N-каналом ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Обогащенный N-канальный IGSFET с внутренним соединением источник-подложка ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Полевой транзистор с обогащенным затвором с P-канальным выходом из подложки ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
6. Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с проводом от подложки ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
7. Полевой транзистор с затвором Шоттки ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
8. Полевой транзистор с двумя затворами Шоттки ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

Примечание. Допустимо изображать корпуса транзисторов.

Ключевые параметры фототранзистора

Токовая и спектральная чувствительности

Текущая или монохроматическая чувствительность

Параметр фототранзистора

— параметр фототранзистора, определяющий величину оптического тока.

Формула

лф

— поток изображения;

Легкий поток

— легкое течение.

Спектральная чувствительность — это параметр фототранзистора, используемый для чтения и распознавания элементов. Эта чувствительность зависит от длины волны светового излучения.

Темновой ток и быстродействие

Темновой ток (IT) представляет собой небольшой электрический ток, протекающий через оптически чувствительный детектор.

Это = Если + Ittotal, где

Если – фототок;

Itot – общий ток.

Скорость — это параметр фототранзистора, определяющий способность устройства выполнять работу с нужной скоростью.

В этом компоненте фототранзистор уступает фотодиодам, так как диапазон рабочих частот ограничен несколькими сотнями килогерц, что сказывается на сроках модернизации.

Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов

Таблица 4

Имя Обозначение
1. Туннельный эффект
а) правильно
б) преобразованный
2. Влияние лавин:
а) односторонний
б) двусторонне
3-8. (Исключен, ред. N 2).
9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в таблице 5.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов

Таблица 9

Имя Обозначение
1. Фоторезистор:
а) общее обозначение ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) дифференциал ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
2. Фотодиод ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
3. Фоторезистор ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
4. Фототранзистор:
а) тип ПНП ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
б) тип НПН ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
5. Фотоэлемент ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)
6. Фотоаккумулятор ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Условные графические обозначения в формах. Полупроводниковые приборы (с изменениями N 1-4)

 

Оцените статью
Блог про технические приборы и материалы